求人情報詳細

SiCやGaNを超える高耐圧性を持つ次世代半導体メーカー半導体エンジニア【エピ成膜技術／ポスドク歓迎】

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正社員

勤務地

埼玉県

想定年収

5,700,000円～ 8,100,000円

推奨年齢

30代

仕事内容

新規エピ成膜技術の開発に従事していただきます。
既存技術よりも高性能な技術を開発していくポジションです。

経験・資格

※求人情報の応募要件全てに該当しなくても、企業様に対して内々に打診したり相談することが可能な場合もございます。一つでも当てはまる方は前向きにご検討下さい。

大学院卒以上 / 経験者のみ募集
【必須】
・薄膜結晶成長開発の経験
【歓迎】
・HVPE、MOCVD装置開発の経験

※更なる詳細事項は、カウンセリング（面談）時にお伝えします。

企業データ

会社名	SiCやGaNを超える高耐圧性を持つ次世代半導体メーカー
事業内容	酸化ガリウムエピタキシャル膜付基板・単結晶/半導体およびその応用製品の製造販売

Recruiting No.

02009046000006