求人情報詳細
NEW プライム上場 重電メーカー 次世代半導体/SiC・GaNの研究開発/第二新卒可/在宅勤務可(月10日まで)/東京都日野市
正社員
第二新卒
1000万円
| 仕事内容 | ■業務概要: 車載や産業機器分野を中心に、今後さらなるグローバル需要の拡大が見込まれる「パワー半導体事業」における基礎研究開発ポジションです。 同社研究センターの一員として、SiCやGaNといった次世代半導体材料を用いたパワーデバイスの研究開発(物性解析、プロセス開発、デバイス設計・試作・評価など)をお任せします。ご入社後はこれまでのご経験に合わせて、まずは特定の研究テーマの一部からスタートし、習熟度に応じて複数テーマへと担当領域を広げていただきます。将来的には研究リーダーとしてチームを牽引するキャリアステップもご用意しています。 ■業務詳細: ・物性解析:電気的特性評価・分析的評価・第一原理計算などを駆使し、材料物性に基づくデバイス動作やプロセスのメカニズムを解明 ・プロセス開発:物理現象や材料特性の知見をもとに、デバイス性能を引き上げる最先端プロセスの提案・検討および改善指針の策定 ・デバイス設計・試作・評価:SiC・GaNを用いたパワーデバイスの構造検討から、プロセス設計、試作、各種評価(電気特性・動作解析・信頼性評価など)までの一連の業務 ■働き方: ・在宅制度:月10日まで利用可 |
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| 経験・資格 |
※求人情報の応募要件全てに該当しなくても、企業様に対して内々に打診したり相談することが可能な場合もございます。一つでも当てはまる方は前向きにご検討下さい。
<最終学歴>大学院、大学卒以上<応募資格/応募条件> ■必須要件: ・材料物性解析や分析評価の経験 ・SiC、GaNに対するデバイス形成プロセス/パワー半導体デバイス研究開発経験 ※第二新卒相当の方は大学・大学院での研究経験のみでも応募可能です ※更なる詳細事項は、カウンセリング(面談)時にお伝えします。 |
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| 想定年収 | 650 万円 ~ 1000 万円 | ||||
| 勤務地 |
東京都日野市
【受動喫煙対策の有無:有】
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| 企業データ |
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| Recruiting No. | 02000490001091 |
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