プライム上場 重電メーカー 研究開発職(次世代半導体の研究開発)／東京

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仕事内容	●業務概要： SiC, GaN等の次世代半導体材料を用いたパワーデバイスの開発業務、物性解析、プロセス開発、デバイス設計・試作・評価等の研究開発をお任せします。 【業務詳細】 ・プロセス開発：デバイス特性向上に向けたプロセス開発として、物理現象や材料特性にもとづいて検討し、改善指針を構築 ・物性解析：電気的特性評価、分析的評価、計算技術等を用いて、材料物性に基づいたデバイス動作に関わるメカニズム解明 ・デバイス設計・試作・評価：SiCやGaNを用いたパワーデバイス構造の検討、プロセス設計、試作および評価(電気特性、動作解析、信頼性評価等)
経験・資格	※求人情報の応募要件全てに該当しなくても、企業様に対して内々に打診したり相談することが可能な場合もございます。一つでも当てはまる方は前向きにご検討下さい。 対象となる方 ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ●必須要件：下記いずれかに該当をする方 ・基本的な半導体プロセスができパワーデバイス開発に必要なプロセスインテグレーションの知識を有する ・SiC, GaNパワーデバイスの設計、試作、評価等の開発経験 ・半導体材料またはそのプロセス技術の研究・開発経験 ・半導体デバイスの構造、動作原理、電気的特性および特性評価技術に関する研究・開発経験 ※更なる詳細事項は、カウンセリング（面談）時にお伝えします。
想定年収	600 万円 ～ 900 万円
勤務地	東京都日野市
企業データ	会社名 プライム上場 重電メーカー 事業内容 ●電機システム ●機器・制御 ●電子製品 ●流通機器システム
Recruiting No.	02000490000555