東証グロース上場 独自のレーザー技術に強みを持つスタートアップ 半導体レーザチップ設計・開発エンジニア

ブックマーク一覧

勤務地	神奈川県
想定年収	643.5 ～ 907.5 万円位まで
推奨年齢	20代
仕事内容	・帯量子ドットレーザ、DFB レーザおよび小型可視レーザの高性能化・高機能化のためのチップ開発(具体的業務は以下)。 [1] 帯量子ドットレーザ シリコンフォトニクス用光源として FP・DFB レーザともに高温・広温度範囲での高出力化が求められており、そのチップの開発・設計業務 [2] DFB レーザ ナノ秒パルス駆動時の高出力化やピコ秒パルスレーザの更なる短パルス化を実現するチップの開発・設計業務 [3] 小型可視レーザ 波長ラインナップの拡充や高出力化・高信頼性チップの開発・設計業務 ・半導体レーザチップ設計、ウェハプロセス設計および評価 ・チップファンドリへの指示 ・顧客からの問合せに対する技術対応
経験・資格	※求人情報の応募要件全てに該当しなくても、企業様に対して内々に打診したり相談することが可能な場合もございます。一つでも当てはまる方は前向きにご検討下さい。 ・半導体レーザチップの設計・評価の十分な経験および知識 ・ビジネス英会話(目安：TOIEC 600 点以上) 【求める人物像】 ・新しい技術の開拓に意欲を持ち、自ら考え、行動できる方 ・強い意思を持って目標達成できる方 ・開発、生産、営業メンバーとのチームワークを大切にしながら業務を遂行できる人 ※更なる詳細事項は、カウンセリング（面談）時にお伝えします。
企業データ	会社名 東証グロース上場 独自のレーザー技術に強みを持つスタートアップ 事業内容 半導体向けレーザー、デバイスの製造・販売
Recruiting No.	02008375000005