NEW 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体成膜装置の成膜プロセス(レシピ)開発

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勤務地	神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番1
想定年収	【担当クラス】年収：420万円～ 730万円、月給：23万円～42万円 【主任クラス】年収：670万円～ 940万円、月給：37万円～55万円 【管理職クラス】資格別平均年収1,070万円～1,500万円、月額57万円～76万円
推奨年齢	30代
仕事内容	〇エピタキシャル成長製造装置開発の成膜のプロセス開発を行っていただきます。 ・シリコン、GaN、SiC膜の成膜方法(レシピ)の開発と測定機による評価 ・装置の開発、客先でのデモンストレーション、メンテナンス、トラブル対応 ・プロセスに関する客先でのプロセス仕様打合せ、装置立上、客先でのプロセス支援 ※海外顧客の場合海外出張いただき、顧客先でレシピの調整を行います 〇エピタキシャル成長製造装置の特徴 1ウェーハの高速回転による高速かつ均一性の高い成膜 2緻密に設計された垂直方向のガスフローによる均一なガス濃度分布 3高精度な面状ヒーターに非接触で配置することで高い温度均一性と高速昇降温特性 上記コア技術が実現することで高品質エピタキシャル成長層の形成を可能としております。 プロセス担当はこれらコア技術が顧客要望通り実現しているかを測定器などを使用して検証し、エラーの原因はレシピなのかハードなどかを突き詰め改善を行っていきます。 【業務で使用するツール】 ・プロセス 測定機操作 (SEM、欠陥検査、膜厚、XRD等) 【入社後お任せしたい業務】 ・プロセス 上記業務内容を先輩社員がOJTでついて教育を行いながら、 デモ機をもとに装置の扱い方やレシピの開発・調整方法をキャッチアップいただきます。 【働き方】 ・部署の平均残業時間：約20時間／月 ・リモートワーク：有　（週に約1日在宅勤務） ・海外出張：有　年に2～3回、出張期間は1か月～3か月 【製品・同社の強み】 ・電気自動車で使用される充電器や、通信技術の5G、6Gなどの基地局はエピタキシャル装置で製造されるパワー半導体がなければ急速充電あるいは高速通信ができないため注目されております。 ・またパワー半導体は省エネの部分においても、脱炭素推進が可能なものとして注目をされております。 ・また非常に入手困難な8インチSiCを製造しているメーカーに対して、同社装置を納入できているため、最先端かつ技術の高さで競合他社と差別化ができております。
経験・資格	※求人情報の応募要件全てに該当しなくても、企業様に対して内々に打診したり相談することが可能な場合もございます。一つでも当てはまる方は前向きにご検討下さい。 【MUST】 ・エピ成膜に興味がある方。 【WANT】 ・半導体の製造等において何らかの成膜経験がある方。 ・半導体製造装置(CVD装置)を使用した成膜経験がある方。 ・半導体製造装置(CVD装置)で使用されるガスや、真空装置の取り扱い経験がある方。 ・英語でのコミュニケーションが可能な方。 ※更なる詳細事項は、カウンセリング（面談）時にお伝えします。
企業データ	会社名 株式会社ニューフレアテクノロジー 設立 2002年8月1日 資本金 64億8,600万円 従業員数 907名 事業内容 半導体製造装置の開発、製造、販売、保守
Recruiting No.	01008977000161
ひとことコメント	半導体製造の前工程において重要なフォトマスクの製造に関わる装置と、ウェーハの成膜に関わる装置を開発・製造している企業。 株式会社東芝から、電子ビームマスク描画装置を中心とした半導体製造装置事業が技術移管された東芝機械株式会社が前身。 海外の世界的有名半導体メーカーが主な取引先の為、海外売上高比率は90%以上。 最先端技術の研究開発に力を入れており、研究開発費率は22.6%と、全製造業平均4.81%を大きく上回る。 半導体特有の業績の浮き沈みは少なく、安定的に業績を維持。 国内拠点は1か所のみなので国内転勤の心配は無し。落ち着いて働くことが出来る。 新杉田駅（横浜駅から京浜東北線で12分程度）から同社正門まで徒歩5分以内の好立地に拠点を構えている海外の世界的有名半導体メーカーが主な取引先の為、海外売上高比率は90%以上。 最先端技術の研究開発に力を入れており、研究開発費率は22.6%と、全製造業平均4.81%を大きく上回る。 半導体特有の業績の浮き沈みは少なく、安定的に業績を維持。 国内拠点は1か所のみなので国内転勤の心配は無し。落ち着いて働くことが出来る。 新杉田駅（横浜駅から京浜東北線で12分程度）から同社正門まで徒歩5分以内の好立地に拠点を構えている